卷對卷PECVD石墨烯制備設備 參考價：89560
卷對卷PECVD石墨烯制備設備主要應用于計算機和智能手機屏幕，超輕、柔性的太陽能電池，以及新型的發光設備和其他薄膜電子產品
半導體PECVD設備氣相沉積系統 參考價：98000
半導體PECVD設備氣相沉積系統適用于在光學玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜質量好，針孔較少，不易龜裂，適用于制備...
單溫區旋轉PECVD石墨烯制備系統 參考價：面議
單溫區旋轉PECVD石墨烯制備系統用于制備石墨烯，是一種 “低溫、直接生長" 的技術。它尤其適合在非金屬基底（如絕緣襯底）上生長石墨烯，避免了從金屬催化劑轉移的...
卷對卷式太陽能電池片PECVD氣相沉積系統 參考價：28000
卷對卷式太陽能電池片PECVD氣相沉積系統是等離子增強型化學氣相沉積設備（PECVD），并加裝了收放卷裝置。本設備可用于線材的連續化熱處理工藝中，如碳纖維制備、...
二氧化硅薄膜沉積等離子增強CVD系統 參考價：35000
二氧化硅薄膜沉積等離子增強CVD系統由等離子發生器，三溫區管式爐、單溫區管式爐、射頻電源、真空系統組成。等離子增強CVD系統為了使化學反應能在較低的溫度下進行，...
光學薄膜PECVD等離子增強型CVD系統 參考價：26000
CY-PECVD50R-1200-Q是一款光學薄膜PECVD等離子增強型CVD系統。此系統由150W射頻電源、單溫區管式爐、3通道質子流量計控制系統、性能優異的...
PEALD等離子增強原子層沉積系統 參考價：268000
PEALD等離子增強原子層沉積系統是一種的薄膜沉積技術，結合了等離子體和原子層沉積（ALD）的優點，以實現更高的薄膜質量、更低的沉積溫度和更廣泛的材料兼容性。P...
三溫區PECVD氣相沉積石墨烯制備系統 參考價：54000
三溫區PECVD氣相沉積石墨烯制備系統用于制備石墨烯，是一種 “低溫、直接生長" 的技術。它尤其適合在非金屬基底（如絕緣襯底）上生長石墨烯，避免了從金屬催化劑轉...
晶圓鍍膜設備PECVD氣相沉積 參考價：102000
晶圓鍍膜設備PECVD氣相沉積在超大規模集成電路、光電器件、MEMS等領域具有廣泛的應用
熱陰極直流等離子體化學氣相沉積系統 參考價：1000
熱陰極直流等離子體化學氣相沉積系統（DCCVD）是在常規冷陰極輝光放電基礎上發展起來的，主要用于金剛石單晶或多晶膜的沉積生長
PECVD?旋轉等離子加強CVD系統 參考價：5800
本產品為PECVD?旋轉等離子加強CVD系統。PECVD-R?旋轉等離子加強CVD設備十分適合在氣氛保護的環境下連續對粉末材料用CVD方法進行包裹和修飾。
PECVD化學氣相沉積系統 參考價：36500
PECVD化學氣相沉積系統采用等離子體增強型化學氣相沉積技術，能夠利用高能量等離子體促進反應過程，有效提升反應速度，降低反應溫度
半導體PECVD設備 參考價：面議
半導體PECVD設備采用等離子體增強型化學氣相沉積技術，能夠利用高能量等離子體促進反應過程，有效提升反應速度，降低反應溫度。適用于在光學玻璃、硅、石英以及不銹鋼...
PE-HPCVD等離子增強物理化學氣相沉積 參考價：45000
PE-HPCVD等離子增強物理化學氣相沉積由一臺雙溫區管式爐，一套鎢絲蒸發源，一套等離子發生裝置以及一套質量流量計組成。HPCVD等離子增強物理化學氣相沉積適用...
雙溫區CVD化學氣相沉積系統 參考價：6500
雙溫區CVD化學氣相沉積系統是一種常用的薄膜制備技術，通過在高溫下將氣體反應物質與基底表面反應，形成薄膜
半導體CVD設備 參考價：60000
半導體CVD設備采用等離子體增強型化學氣相沉積技術，基本溫度低，沉積速率快，在光學玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜。
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